나노공정1 IBM-삼성, 반도체 트랜지스터 수직으로 쌓아 나노공정 한계 넘는다 IBM과 삼성전자가 12월 15일 수직(vertical) 트랜지스터 아키텍처를 활용한 신규 반도체 디자인(VTFET)을 발표했다. IBM과 삼성전자는 이번 신규 반도체 설계를 바탕으로 나노 공정을 뛰어넘는 혁신이 가능하며, 기존 스케일링된 핀펫(finFET) 아키텍처 대비 전력 사용량을 최대 85%까지 절감할 수 있다고 밝혔다. 반도체 회로 내 집적되는 트랜지스터의 수가 2년마다 두 배씩 증가한다는 무어의 법칙은 현재 빠른 속도로 한계에 직면하고 있다. 간단히 말해서 점점 더 많은 트랜지스터가 한정된 면적에 포함되어야 함에 따라, 물리적인 면적 자체가 부족해지고 있다. 기존의 트랜지스터는 반도체 표면에 수평으로 배치해 전류가 측면 또는 좌우로 흐를 수 있게 설계됐다. IBM과 삼성전자는 새로운 VTFET.. 2021. 12. 15. 이전 1 다음
